第10回半導体材料・デバイスフォーラムにおいて学生奨励賞を受賞しました。(10/20)

2018.10.26 2018.11.17 10:06

平成30年10月20日にTKPガーデンシティ熊本で開催された第10回半導体材料・デバイスフォーラムにおいて、専攻科2年の鹿子木嘉城君が、ポスター発表では専攻科2年の西嶋泰樹君、合田直弥君、清水昇君がそれぞれ以下のテーマで発表し、学生奨励賞(優秀賞)を受賞しました。

このフォーラムは全国各地の高専生、大学生が、半導体デバイス(太陽電池やトランジスター等)の材料・プロセス・評価技術に関する研究について発表するもので、研究内容のほか、発表の分かりやすさなどの観点から審査が行われました。

口頭発表優秀賞

鹿子木 嘉城「電子線照射a-Ge/SiO2のSn誘起横方向成長」

ポスター発表優秀賞

西嶋 泰樹「Au誘起横方向成長により低温形成した結晶Ge薄膜中のAu濃度評価」
合田 直弥「Ga2O3薄膜導電率向上のための多層膜によるSi添加方法の検討」
清水 昇「Au拡散抑制したAu誘起成長法による結晶Geの高品質形成」