熊本高専では、2月13日（土）、半導体デバイス研究部主催の「第1回半導体材料・デバイスフォーラム」を熊本市内のホテルで開催した。これは、研究部がこれまでに築いてきた国内外の研究機関との連携体制を活用して実施したもので、国内各地から半導体関連の産学官の関係者と大学（院）生、高専生約100名が参加した。
フォーラムでは、井上直久・東京農工大客員教授による赤外吸収法を用いた半導体結晶の評価方法についての基調講演に続いて、「宇宙用半導体デバイス」「半導体材料・太陽電池」「プロセス技術」「人材育成」のセッションで、先端半導体デバイスの放射線損傷機構や次世代太陽電池材料とそれの非真空プロセスでの製造技術等に関する最新の研究成果（動向）１４件が報告された。また、大学（院）生や専攻科生が日頃の成果を纏めたポスター（３０件）コーナーも併設され、学生達は参加者からの鋭い質問に自信を持って答えていた。
フォーラム実行委員長の大山英典教授は、「ワールドワイドな人的ネットワークと研究環境をフルに活かした国際的で実践的センスに優れた半導体研究（技術）者の輩出と先端半導体材料・デバイス・システムに関する新技術の創出、並びに熊本県の更なる産業推進に必要不可欠な人材育成に努めたい。」と語った。
フォーラムの予稿集は、こちらに掲載しています。
