2017年12月2日、日本原子力学会九州支部 第36回研究発表講演会に専攻科の3名が参加し、研究成果を発表しました。
本講演会で、電子情報システム工学専攻の井芹健人さんが、優秀ポスター賞を受賞しました。井芹さんらの研究では、熊本高専と研究協定を結んでいる IMEC との共同研究「半導体の放射線耐性強化素子開発」の一環として、微細な半導体素子に対する放射線照射時の特性劣化原因を解明しており、今後、放射線耐性の高い素子の開発指標となることが期待されます。
受賞内容
受賞：優秀ポスター賞
表題：SOI GAAFET への電子線照射効果及びゲート幅依存性の評価
著者：井芹健人，米本悠人，米岡将士，角田功，高倉健一郎, Eddy Simoen，Anabela Veloso，Cor Claeys
