電子材料・デバイス研究部主任　高倉 健一郎

1. はじめに（研究目的と概要）

結晶、多結晶及び非結晶材料の物性研究を通して製作・集積化関連技術の蓄積とその刷新を図ることから、次世代においても対応可能な高機能材料とデバイスの開発を行っています。

2. 活動内容

研究テーマ

• 耐放射線半導体デバイスの開発
• 超伝導体薄膜の開発
• 透明電極材料の開発
• ニューロデバイスの開発
• 半導体薄膜の低温結晶成長プロセス技術の開発

フォーラム

• 半導体材料・デバイスフォーラム

半導体材料・デバイスに関する「最新の研究成果(動向)と熊本高専電子材料デバイス研究部が締結している共同研究の成果」を報告し、これを通して当該分野に従事する地場企業技術者と当該分野を学習・研究する高専・大学生の育成を図ることを目的として平成22年より継続して開催しています。

研究提携

• 研究機関、企業：

imec(ベルギー)　　Centro Nacional de Microelectronica (スペイン)
菱栄テクニカ　　堀場製作所　　ブルカーバイオスピン　　サムコ

• 大学など

東京大学原子力専攻(原研施設共同利用)　　　九州大学　　大阪大学
名古屋大学　　東京理科大学　　宮崎大学　　大分大学　　都城高専

3. おわりに

上記5つの研究テーマを継続・発展させるために、企業との共同研究の強化を推進します。
参考HPアドレス：http://www2.ee.knct.ac.jp/SDR/