受賞等

令和8年3月15日(日)、応用物理学会による第3回 半導体分野将来基金表彰の授賞式が開催され、情報通信エレクトロニクス工学分野の角田 功 准教授が、シリコン系半導体エレクトロニクス高専活性化奨励賞(名取研二高専活性化奨励賞)を受賞しました。

本賞は、高専における半導体分野の教育・研究・人材育成活動において顕著な実績を挙げた教員を顕彰するもので、角田准教授の長年にわたる実践的な半導体教育および産学連携の取り組みが高く評価されての受賞となりました。

詳細については、下記ページをご覧ください。

【外部サイト：公益社団法人 応用物理学会】
第3回 半導体分野将来基金表彰 受賞者(名取研二高専活性化奨励賞)
https://www.jsap.or.jp/handotai-award/recipients/recipients3#ss3