平成30年10月20日にTKPガーデンシティ熊本で開催された第10回半導体材料・デバイスフォーラムにおいて、専攻科2年の鹿子木嘉城君が、ポスター発表では専攻科2年の西嶋泰樹君、合田直弥君、清水昇君がそれぞれ以下のテーマで発表し、学生奨励賞（優秀賞）を受賞しました。
このフォーラムは全国各地の高専生、大学生が、半導体デバイス（太陽電池やトランジスター等）の材料・プロセス・評価技術に関する研究について発表するもので、研究内容のほか、発表の分かりやすさなどの観点から審査が行われました。
口頭発表優秀賞
鹿子木 嘉城「電子線照射a-Ge/SiO2のSn誘起横方向成長」
ポスター発表優秀賞
西嶋 泰樹「Au誘起横方向成長により低温形成した結晶Ge薄膜中のAu濃度評価」
合田 直弥「Ga2O3薄膜導電率向上のための多層膜によるSi添加方法の検討」
清水 昇「Au拡散抑制したAu誘起成長法による結晶Geの高品質形成」
