| 科目コード | AN208 | ||||
| 科目名 | 表面電子工学(Surface Science for Electronics) | 単位数 | 2単位 | ||
| 対象学科 | 電子情報システム工学専攻 | 対象学年 | 2年 | 開講期間 | 前期 |
| 科目区分 | 電子通信系 | 必修・選択 | 選択 | 履修/学修 | 学修 |
| 授業形式 | 講義 | 規定授業時数 | 15 | ||
| 教員名（所属） | 大石信弘（情報通信エレクトロニクス工学科） | 教員室 | 2号棟2階 | ||
| 使用教科書 | 塚田捷著「表面物理入門」東京大学出版会 | ||||
| 参考書 | Andrew Zangwill著，平木昭夫他訳「表面の物理学」日刊工業新聞社 小間篤・八木克道・塚田捷・青野正和編著「表面科学入門」丸善 | ||||
| 科目の位置付けと 関連科目 | 専攻科１年次の応用物理科学，固体電子工学 | ||||
| 科目の概要 | 本科目では，これからのエレクトロニクスに必要不可欠な表面の科学について系統的に取り上げる．特に，表面の特異性や表面に特有な現象を取り上げ，原因をどのように探り，どのように理解されるかに重点をおいて説明する．また，ナノテクノロジーを切開く新しい技術である「原子マニピュレーション」について述べるとともに，ナノテクノロジーが社会に与えるインパクトについて述べる． | ||||
| 授業方針 | 半導体表面に特有な現象について理解し，説明できる.さらに，表面の原子構造・電子状態の探り方について理解し，説明できる. | ||||
授業項目 | 時数 | 達成目標（習得すべき内容） |
| １．ガイダンス | ||
| ２．表面の原子構造 | ウッドの表記法を用いて，清浄表面や吸着表面の構造を表現できる．表面再構成がなぜ起きるかを理解し，説明できる． | |
| ３．表面の電子状態 | タム状態，ショックレー状態，ダングリングボンド状態について理解し，説明できる．ジェリウムモデルによる仕事関数の計算法の概略について理解し，説明できる． | |
| ４．表面の解析手法 | 回折法，電子分光法，走査プローブ顕微鏡の原理を理解し，それぞれの手法の特徴を説明できる． | |
| ５．ナノテクノロジー | アトムマニュピレーション，ボトムアップの手法，新原理デバイスについて理解し，説明できる． |
ルーブリック | |||
評価項目 | 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 半導体表面に特有な現象 | 半導体表面に特有な現象について理解し，その現象がなぜ起きるのか説明できる | 半導体表面に特有な現象をあげることができる | 左記レベルに達しないレベル |
| 表面の解析法 | 表面の原子構造・電子状態の探り方について理解し，種々の解析方法によって得られる知見について説明できる | 表面の原子構造・電子状態の探り方について理解している | 左記レベルに達しないレベル |
| ナノテクノロジー | ナノテクノロジーの最近のトピックについて，原子レベルでの特徴について説明することができる | ナノテクノロジーの最近のトピックをあげることができる | 左記レベルに達しないレベル |
| 評価方法及び 総合評価 | 【評価方法】期末試験等の筆記試験、レポートで評価する。【総合評価】 授業目標の達成度を評価するために，定期試験とレポートを課す．未提出のレポートについては，そのレポートの評価点を０点とする．全体の評価は期末試験を７割，その他を３割として総合的に評価する．期末試験の評価が６割に満たない学生に対しては，再試験 and/or レポートを課すことがある．60％以上の得点率で目標達成とみなす． |
| 学習方法 | 講義で説明した内容を確実に理解することが重要である．得られた知識を、講義とは違う系に自分で適用する態度も必要である． |
| 学生への メッセージ | 授業・試験・レポート等に関する全ての連絡事項に注意すること． 専攻科１年次の応用物理科学，固体電子工学などの知識を必要とするので，これらの科目を履修していることが望ましいが、全くの初学者でも興味を持ってもらえるような科目としたい． |
| 学修単位への対応 | 1単位あたり30時間程度の自学自習を課す．その内訳は，レポートの作成に20H，期末試験の勉強に，10Hとする． |
| 本校教育目標との対応 | JABEE学習教育目標との対応 | ||||