2015年度シラバス（熊本高等専門学校　熊本キャンパス）				科目コード	AN122
科目名	集積回路工学(Integrated Circuit Engineering)			単位数	2単位
対象学科	電子情報システム工学専攻	対象学年	1年	開講期間	前期
科目区分	電子通信系	必修・選択	選択	履修/学修	学修
授業形式	講義	規定授業時数	15
教員名（所属）	角田　功（情報通信エレクトロニクス工学科）		教員室	1号棟4階
使用教科書	Principles of CMOS VLSI design, Neil H. E. Weste and K. Eshraghian, Addison-Wesley Publishing company
参考書	大山英典、葉山清輝「半導体デバイス工学」森北出版
科目の位置付けと関連科目	本科開講科目である電子工学の履修を前提としている。
科目の概要	教科書の第２、３章を用いて、集積回路工学のうち、ＭＯＳトランジスタ理論に基づいて、シリコン半導体技術の概要からシリコン結晶の作製方法やＣＭＯＳ回路の特徴とその製作技術を分り易く教授する。講義では、最先端のシリコン結晶製造法や酸化、拡散工程とそれを用いたＣＭＯＳデバイスの作製プロセス技術、製造装置を講習する。また、次世代材料やデバイスについても学習する。
授業方針	①集積回路工学に関する英文教科書を用いて、最先端のシリコン結晶製造法や酸化、拡散工程とそれを用いたＣＭＯＳデバイスの作製プロセスを理解し説明できる。②集積回路工学が果たす社会的役割と半導体産業の実情を認識する。併せて、デバイス物性と集

授業項目	時数	達成目標（習得すべき内容）
ガイダンス	0.5
シリコン半導体技術の概要	1.5	シリコン半導体産業の概要と市場を理解し説明できる。
酸化、拡散工程技術	2	酸化、拡散工程の概要を理解し説明できる。
ＮＭＯＳトランジスタ	2	ＮチャネルＭＯＳトランジスタの概要と動作原理、及び、製作プロセスを理解し説明できる。
ＣＭＯＳ回路	4	ＣＭＯＳトランジスタの概要と動作原理、及び、製作プロセスを理解し説明できる。
ＳＯＩデバイス	2	ＳＯＩデバイスの概要と動作原理、及び、製作プロセスを理解し説明できる。
次世代材料・デバイス	3	ポストＳｉ材料である、ＳｉＧｅ、歪Ｓｉなどの次世代材料の動作原理、製作プロセスを理解し説明できる。

ルーブリック
評価項目	理想的な到達レベルの目安	標準的な到達レベルの目安	未到達レベルの目安
シリコン半導体技術の概要	集積回路の現状、課題、今後の進展につき、ムーアの法則、スケーリング則を理解したうえで、説明できる。	集積回路の現状、課題、今後の進展を説明できる。	集積回路の現状、課題、今後の進展が説明できない。
半導体デバイスの概要	本科で学習したｐｎ接合ダイオード、ＭＯＳ型トランジスタについて、専門英語の教科書の内容を理解、要約し、図を用いてプレゼンテーションできる。	本科で学習したｐｎ接合ダイオード、ＭＯＳ型トランジスタについて、専門英語の教科書の内容を理解し説明できる。	本科で学習したｐｎ接合ダイオード、ＭＯＳ型トランジスタについて、専門英語の教科書の内容が理解できない。
半導体プロセスの概要	集積回路に用いられているＣＭＯＳトランジスタの概要、基本プロセス技術について、専門英語の教科書の内容を理解、要約し、図を用いてプレゼンテーションできる。	集積回路に用いられているＣＭＯＳトランジスタの概要、基本プロセス技術について、専門英語の教科書の内容を理解し説明できる。	集積回路に用いられているＣＭＯＳトランジスタの概要、基本プロセス技術について、専門英語の教科書の内容が理解できない。

評価方法及び総合評価	【評価方法】筆記試験とレポートで評価する。【総合評価】筆記試験１回の点数と、授業内容に関連した1回のレポート点を６０％と４０％に配分して評価し、６０％以上の得点率で目標達成とみなす。レポート点数は、未提出は０点として、記述内容の独創性、図表を用いた表現方法、文章のまとめ方、参考文献引用の適切さ等を総合的に評価する。
学習方法	講義だけではなく、輪講、レポートを通じ理解を深める。
学生へのメッセージ	本科で学習した電子工学、半導体デバイス工学の知識を充分に理解しておく必要がある。これらの科目の講義内容について十分に復習して受講することが望まれる。
学修単位への対応	学修とは自学学習を含む科目を指す。

本校教育目標との対応

　

JABEE学習教育目標との対応

D-1（○）