| 科目コード | TE414 | ||||
| 科目名 | 半導体プロセス(semiconductor processing) | 単位数 | 2単位 | ||
| 対象学科 | 情報通信エレクトロニクス工学科 | 対象学年 | 4年 | 開講期間 | 通年 |
| 科目区分 | 専門応用科目 | 必修・選択 | 選択 | 履修/学修 | 学修 |
| 授業形式 | 講義 | 規定授業時数 | 60 | 実時間数 | 50 |
| 教員名（所属） | 角田 功（情報通信エレクトロニクス工学科） | 教員室 | 1号棟4階 | ||
| 使用教科書 | 前田 和夫著，「はじめての半導体プロセス」 技術評論社 | ||||
| 参考書 | 大山英典、葉山清輝「半導体デバイス工学」森北出版社 S.M.Sze「半導体デバイス」産業図書 | ||||
| 科目の位置付けと関連科目 | 本科目は、３年生で学ぶ電子工学を基礎としている。また、電子材料（４年）、オプトエレクトロニクス（５年）、実装工学（５年）の科目と密接な関係がある。 | ||||
| 科目の概要 | 半導体デバイス作製技術、作成方法について講義する。前期は基本プロセス技術、後期は複合プロセス、ナノプロセスに主眼を置き講義する。 | ||||
| 授業方針 | １．集積回路の現状、課題について説明ができる。２．シリコンウェーハの製造方法、半導体デバイスの各製造技術について理解し説明ができる。 | ||||
授業項目 | 時間 | 達成目標（習得すべき内容） |
| １．ガイダンス | 本授業の概要や評価方法に関するガイダンスを行なう。 | |
| ２．集積回路の現状と課題 | 集積回路の現状、課題、スケーリング則、ムーアの法則について説明できる。 | |
| ３．半導体デバイスの構造と動作 | pn接合ダイオード、MOS型トランジスタについて理解し説明できる。 | |
| ４．シリコン結晶とウェーハ | シリコン結晶とウェーハの製造方法について理解し説明できる。 | |
| ５．基本プロセス技術 | 半導体デバイスの基本プロセス技術（洗浄・薄膜形成・リソグラフィ・平坦化）について説明できる。 | |
| ６．複合プロセス技術 | プロセスインテグレーション技術（アイソレーション・ウェル形成・ゲートスタック形成・ソースドレイン形成）について説明できる。 | |
| ７．半導体ナノプロセス技術 | モア・ムーアを推進するテクノロジーブースター技術（High-kゲートスタック、SOI、歪シリコン、３次元トランジスタ）を簡単に説明できる。 | |
| ８．半導体デバイスの信頼性 | 半導体デバイスの信頼性、故障率等の定義、信頼性試験方法を理解し説明できる。 |
| 評価方法及び総合評価 | 定期試験等筆記試験（６０％）、レポート評価（４０％）を総合し、６０％以上の得点率で目標達成とみなす。レポート点数は、未提出は０点として、記述内容の独創性、図表を用いた表現方法、文章のまとめ方、参考文献引用の適切さ等を総合的に評価する。 |
| 学習方法 | 講義だけではなく、レポートを通じ理解を深める。 |
| 学生へのメッセージ | 電子工学で取得した半導体デバイス特性を基礎として、総合的な理解に結びつけるために、それらを充分に理解しておく必要がある。質問等は空き時間などに随時受け付ける。 |
| 学修単位への対応 | 本科目は５０分の授業に対して、放課後・家庭で４０分程度の自学学習が課せられます。 |
| 本校教育目標との対応 | JABEE学習教育目標との対応 | ||||