2014年度シラバス(熊本高等専門学校 熊本キャンパス)
科目コードTE414
科目名半導体プロセス(semiconductor processing) 単位数2単位
対象学科情報通信エレクトロニクス工学科対象学年4年開講期間通年
科目区分専門応用科目必修・選択選択履修/学修学修
授業形式講義規定授業時数60実時間数50
教員名(所属)
角田 功(情報通信エレクトロニクス工学科)教員室
1号棟4階
使用教科書
前田 和夫著,「はじめての半導体プロセス」 技術評論社
参考書
大山英典、葉山清輝「半導体デバイス工学」森北出版社
S.M.Sze「半導体デバイス」産業図書
科目の位置付けと関連科目本科目は、3年生で学ぶ電子工学を基礎としている。また、電子材料(4年)、オプトエレクトロニクス(5年)、実装工学(5年)の科目と密接な関係がある。
科目の概要半導体デバイス作製技術、作成方法について講義する。前期は基本プロセス技術、後期は複合プロセス、ナノプロセスに主眼を置き講義する。
授業方針1.集積回路の現状、課題について説明ができる。2.シリコンウェーハの製造方法、半導体デバイスの各製造技術について理解し説明ができる。

授業項目

時間

達成目標(習得すべき内容)

1.ガイダンス
1
本授業の概要や評価方法に関するガイダンスを行なう。
2.集積回路の現状と課題
4
集積回路の現状、課題、スケーリング則、ムーアの法則について説明できる。
3.半導体デバイスの構造と動作
6
pn接合ダイオード、MOS型トランジスタについて理解し説明できる。
4.シリコン結晶とウェーハ
4
シリコン結晶とウェーハの製造方法について理解し説明できる。
5.基本プロセス技術
15
半導体デバイスの基本プロセス技術(洗浄・薄膜形成・リソグラフィ・平坦化)について説明できる。
6.複合プロセス技術
15
プロセスインテグレーション技術(アイソレーション・ウェル形成・ゲートスタック形成・ソースドレイン形成)について説明できる。
7.半導体ナノプロセス技術
5
モア・ムーアを推進するテクノロジーブースター技術(High-kゲートスタック、SOI、歪シリコン、3次元トランジスタ)を簡単に説明できる。
8.半導体デバイスの信頼性
10
半導体デバイスの信頼性、故障率等の定義、信頼性試験方法を理解し説明できる。
評価方法及び総合評価定期試験等筆記試験(60%)、レポート評価(40%)を総合し、60%以上の得点率で目標達成とみなす。レポート点数は、未提出は0点として、記述内容の独創性、図表を用いた表現方法、文章のまとめ方、参考文献引用の適切さ等を総合的に評価する。
学習方法講義だけではなく、レポートを通じ理解を深める。
学生へのメッセージ電子工学で取得した半導体デバイス特性を基礎として、総合的な理解に結びつけるために、それらを充分に理解しておく必要がある。質問等は空き時間などに随時受け付ける。
学修単位への対応本科目は50分の授業に対して、放課後・家庭で40分程度の自学学習が課せられます。
本校教育目標との対応
(3)
JABEE学習教育目標との対応
D-1