| 科目コード | AN207 | ||||
| 科目名 | 電子デバイス工学(Electronic Device Engineering) | 単位数 | 2単位 | ||
| 対象学科 | 電子情報システム工学専攻 | 対象学年 | 2年 | 開講期間 | 後期 |
| 科目区分 | 電子通信系 | 必修・選択 | 選択 | 履修/学修 | 学修 |
| 授業形式 | 講義 | 規定授業時数 | 30 | 実時間数 | 25 |
| 教員名（所属） | 葉山清輝（情報通信エレクトロニクス工学科） | 教員室 | 2号棟2階 | ||
| 使用教科書 | 大山英典ほか，「MOS集積回路の設計・製造と信頼性技術」，森北出版 | ||||
| 参考書 | 大山英典，葉山清輝，「半導体デバイス工学」，森北出版 | ||||
| 科目の位置付けと関連科目 | 本科５年生までに学習した電子工学、半導体デバイスの知識を充分に理解しておく必要がある。 | ||||
| 科目の概要 | 電子デバイス工学のうち、バイポーラデバイス、MOSデバイス、電力制御デバイス、高速デバイス、MEMSデバイス、半導体材料成長技術、集積化技術について本科で学んだ知識をもとに輪講形式で担当を決めて発表をしてもらい解説を加える。更に，半導体デバイスで最も利用の多いMOSデバイスについて特性解析を実例をあげて学ぶ。 | ||||
| 授業方針 | １．ダイオードとバイポーラトランジスタの特性解析ができる。 ２．MOSデバイスデバイス，電力制御デバイスの特性解析ができる。 ３．高速デバイスについて特性解析ができる。 ４．MEMSデバイス、最近の半導体プロ説技術について説明できる。 | ||||
授業項目 | 時間 | 達成目標（習得すべき内容） |
| ガイダンス | 本科目の教育目標，授業進め方，レポートの書き方，評価の方法についての説明する． | |
| バイポーラデバイス | ダイオード、トランジスタ等の基本的なデバイスの理論を理解し特性解析ができる。 | |
| MOSデバイス | MOSFETの動作理論を理解し、特性解析ができる。 | |
| 電力制御デバイス | SCR，IGBTなどの電力制御デバイスの動作理論を理解し特性解析ができる。 | |
| 高速デバイス | 化合物半導体デバイス，SiGeデバイス，歪Siデバイスなどの高速デバイスについて理解し説明できる。 | |
| MEMSデバイス | 各種MEMSデバイスについて原理と作製方法を理解し動作を説明できる。 | |
| 半導体材料と集積化技術 | Si等の半導体，Alなどの導体材料，SiO2などの絶縁材料の薄膜成長技術を理解し説明できる。集積回路の作成技術，最近の集積化技術について理解し説明できる。 | |
| 特性解析技術 | MOSデバイスについての特性解析技術を学び，特性解析ができる。 |
| 評価方法及び総合評価 | 【評価方法】１回の筆記試験と１回のレポートで評価する。レポートは個別の課題を出す。【総合評価】筆記試験１回の点数と授業内容に関連した1回のレポート点を６０％と４０％に配分して評価し、６０％以上の得点率で目標達成とみなす。レポート点数は、未提出は０点として、記述内容の独創性、図表を用いた表現方法、文章のまとめ方、参考文献引用の適切さ等を総合的に評価して、A、B、C、Dの４段階に区分して配点する。 |
| 学習方法 | 本科５年生までに学習した電子工学、半導体デバイスの知識を充分に理解しておく必要がある。これらの科目の講義内容について十分に復習して受講することが望まれる。 |
| 学生へのメッセージ | |
| 学修単位への対応 | １単位当たり30時間の自学自習を要する.授業項目毎に担当を決めて必要な自学自習相当のレポートを課し提出を確認する． |
| 本校教育目標との対応 | JABEE学習教育目標との対応 | ||||