2013年度シラバス（熊本高等専門学校　熊本キャンパス）
 科目コードE513
科目名信頼性工学Ⅱ(Releability EngineeringⅡ) 単位数1単位
対象学科　対象学年5年開講期間後期
科目区分　必修・選択選択履修/学修学修
授業形式講義規定授業時数30実時間数25
教員名（所属）
伊山　義忠（電子工学科）教員室
1号棟4階
使用教科書
大山英典、中林正和、葉山清輝、江口啓「ＭＯＳ集積回路の設計と製造・信頼性技術」森北出版
参考書
大山英典、葉山清輝「半導体デバイス工学」森北出版
科目の位置付けと関連科目前年度開講科目である電子工学の履修を前提としている。
科目の概要本科目では集積回路の信頼性とその評価手法に主眼を置いて講義する。まず、ＭＯＳ集積回路の製造技術について説明する。その後、ＭＯＳ集積回路の故障原因を実用的視点から説明する。
授業方針①ＭＯＳ集積回路の各製造技術（洗浄技術、成膜技術等）について説明できる。②ＭＯＳ集積回路の故障、例えば、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション等の特性や原因を理解し説明できる。③種々の故障対策としての設計方法や製造方法等を理解し説明できる。

授業項目

時間

達成目標（習得すべき内容）

１．ＭＯＳ集積回路の製造技術
10
ＭＯＳ集積回路の各製造技術、例えば、洗浄技術、成膜技術等の特徴が理解できる。
２．集積回路の故障原因
14
ＭＯＳ集積回路の故障、例えば、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション等の特性や原因を理解し説明できる。
３．故障への対策
6
故障対策としての設計方法や製造方法等を理解し説明できる。
評価方法及び総合評価筆記試験１回の点数と1回の授業内容に関連したレポート点を６０％と４０％に配分して評価し、６０％以上の得点率で目標達成とみなす。レポート点数は、未提出は０点として、記述内容の独創性、図表を用いた表現方法、文章のまとめ方、参考文献引用の適切さ等を総合的に評価する。
学習方法講義だけではなく、レポートを通じ理解を深める。
学生へのメッセージ電子工学で取得した半導体デバイス特性を基礎として、総合的な理解に結びつけるために、それらを充分に理解しておく必要がある。
学修単位への対応※ 本科目は５０分の授業に対して、放課後・家庭で４０分程度の自学学習が課せられます。
本校教育目標との対応
　
JABEE学習教育目標との対応
Ｄ－１