| 科目コード | E512 | ||||
| 科目名 | 信頼性工学Ⅰ(Releability EngineeringⅠ) | 単位数 | 1単位 | ||
| 対象学科 | 対象学年 | 5年 | 開講期間 | 前期 | |
| 科目区分 | 必修・選択 | 選択 | 履修/学修 | 学修 | |
| 授業形式 | 講義 | 規定授業時数 | 30 | 実時間数 | 25 |
| 教員名（所属） | 伊山 義忠（電子工学科） | 教員室 | 1号棟4階 | ||
| 使用教科書 | 大山英典、中林正和、葉山清輝、江口啓「ＭＯＳ集積回路の設計と製造・信頼性技術」森北出版 | ||||
| 参考書 | 大山英典、葉山清輝「半導体デバイス工学」森北出版 | ||||
| 科目の位置付けと関連科目 | 前年度開講科目である電子工学の履修を前提としている。 | ||||
| 科目の概要 | 本科目では集積回路の信頼性とその評価手法に主眼を置いて講義する。バイポーラとＭＯＳ集積回路の製作方法について、各々の特徴（利点と欠点）の詳細をまず説明する。次に、半導体デバイスの信頼性の定義（国際規格）と信頼性試験方法について解説する。 | ||||
| 授業方針 | ①集積回路の一般的な製作工程であるプレーナ工程が説明でき、その特徴が理解できる。 ②製造に必要なパラメータ、例えば、酸化膜の厚さや拡散距離等を計算することができる。 ③信頼性や故障率の定義と概念や、信頼性試験方法が理解し説明できる。 ④集積回路の故障率の計算や加速試験の手法が理解し説明できる。 | ||||
授業項目 | 時間 | 達成目標（習得すべき内容） |
| １．ガイダンス | ||
| ２．集積回路の製作方法 | バイポーラ集積回路とＭＯＳ集積回路の仕組みや電気的特性を理解すると同時に、製造方法が理解できる。併せて、それらの特徴（利点と欠点）が理解し説明できる。 | |
| ３．信頼性の定義と信頼性試験 | 半導体デバイスの信頼性、故障率等の定義、信頼性試験方法が理解し説明できる。 故障率の計算ができると同時に、加速試験方法が理解し説明できる。 |
| 評価方法及び総合評価 | 筆記試験１回の点数と１回の授業内容に関連したレポート点を６０％と４０％に配分して評価し、６０％以上の得点率で目標達成とみなす。レポート点数は、未提出は０点として、記述内容の独創性、図表を用いた表現方法、文章のまとめ方、参考文献引用の適切さ等を総合的に評価する。 |
| 学習方法 | 講義だけではなく、レポートを通じ理解を深める。 |
| 学生へのメッセージ | 電子工学で取得した半導体デバイス特性を基礎として、総合的な理解に結びつけるために、それらを充分に理解しておく必要がある。 |
| 学修単位への対応 | ※ 本科目は５０分の授業に対して、放課後・家庭で４０分程度の自学学習が課せられます。 |
| 本校教育目標との対応 | JABEE学習教育目標との対応 | ||||