2013年度シラバス（熊本高等専門学校　熊本キャンパス）
 科目コードAN207
科目名電子デバイス工学( Electronic Device Engineering) 単位数2単位
対象学科電子情報システム工学専攻対象学年2年開講期間後期
科目区分電子通信系必修・選択選択履修/学修学修
授業形式講義授業時間数30実時間数25
教員名（所属）
葉山　清輝（情報通信エレクトロニクス工学科）教員室
2号棟2階
使用教科書
プリント等使用　
参考書
　　
科目の位置付けと関連科目本科５年生までに学習した電子工学、半導体デバイスの知識を充分に理解しておく必要がある。
科目の概要電子デバイス工学のうち、バイポーラデバイス、MOSデバイス、電力制御デバイス、高速デバイス、MEMSデバイス、半導体材料成長技術、集積化技術について本科で学んだ知識をもとに、より詳細な解説をする。各種デバイスについては特性解析についても実例をあげて学ぶ。
授業方針１．ダイオードとバイポーラトランジスタの特性解析ができる。
２．MOSデバイスデバイス，電力制御デバイスの特性解析ができる。
３．高速デバイスについて特性解析ができる。
４．MEMSデバイス、最近の半導体材料成長技術、集積化技術を理解し説明できる。

授業項目

時間

達成目標（習得すべき内容）

ガイダンス
2
　
バイポーラデバイス
4
ダイオード、トランジスタ等の基本的なデバイスの理論を理解し特性解析ができる。
MOSデバイス
4
MOSFETの動作理論を理解し、特性解析ができる。
電力制御デバイス
4
SCR，IGBTなどの電力制御デバイスの動作理論を理解し特性解析ができる。
高速デバイス
4
化合物半導体デバイス，SiGeデバイス，歪Siデバイスなどの高速デバイスについて理解し説明できる。
MEMSデバイス
4
各種MEMSデバイスについて原理と作製方法を理解し動作を説明できる。
半導体材料成長技術
4
Si等の半導体，Alなどの導体材料，SiO2などの絶縁材料の薄膜成長技術を理解し説明できる。
集積化技術
4
集積回路の作成技術，最近の集積化技術について理解し説明できる。
評価方法及び総合評価【評価方法】

１回の筆記試験と１回のレポートで評価する。レポートは個別の課題を出す。

【総合評価】

筆記試験１回の点数と授業内容に関連した1回のレポート点を６０％と４０％に配分して評価し、６０％以上の得点率で目標達成とみなす。レポート点数は、未提出は０点として、記述内容の独創性、図表を用いた表現方法、文章のまとめ方、参考文献引用の適切さ等を総合的に評価して、A、B、C、Dの４段階に区分して配点する。

学習方法本科５年生までに学習した電子工学、半導体デバイスの知識を充分に理解しておく必要がある。これらの科目の講義内容について十分に復習して受講することが望まれる。
学生へのメッセージ　
学修単位への対応１単位当たり30時間の自学自習を要する.授業項目毎に担当を決めて必要な自学自習相当のレポートを課し提出を確認する．
本校教育目標との対応
　
JABEE学習教育目標との対応
D-1（○）