2012年度シラバス（熊本高等専門学校　熊本キャンパス）
科目コードAN208
科目名表面電子工学( Surface State Devices) 単位数2単位
対象学科電子情報システム工学専攻対象学年2年開講期間前期
科目区分電子通信系必修・選択選択履修/学修学修
授業形式講義授業時間数30実時間数25
教員名（所属）
大石　信弘（情報通信エレクトロニクス工学科）教員室
2号棟2階
使用教科書
塚田捷著「表面物理入門」東京大学出版会
参考書
Andrew Zangwill著，平木昭夫他訳「表面の物理学｣日刊工業新聞社

小間篤・八木克道・塚田捷・青野正和編著「表面科学入門」丸善

科目の位置付けと関連科目専攻科１年次の応用物理科学，固体電子工学
科目の概要本科目では，これからのエレクトロニクスに必要不可欠な表面の科学について系統的に取り上げる．特に，表面の特異性や表面に特有な現象を取り上げ，原因をどのように探り，どのように理解されるかに重点をおいて説明する．また，ナノテクノロジーを切開く新しい技術である「原子マニピュレーション」について述べるとともに，ナノテクノロジーが社会に与えるインパクトについて述べる．
授業方針@表面の原子構造・電子状態の探り方について理解し，説明できる

A半導体表面に特有な現象について理解し，説明できる

Bナノテクノロジーの応用の可能性について述べることができる．

授業項目

時間

達成目標（習得すべき内容）

１．ガイダンス
1
　
２．表面の原子構造
8
ウッドの表記法を用いて，清浄表面や吸着表面の構造を表現できる．表面再構成がなぜ起きるかを理解し，説明できる．
３．表面の電子状態
7
タム状態，ショックレー状態，ダングリングボンド状態について理解し，説明できる．ジェリウムモデルによる仕事関数の計算法の概略について理解し，説明できる．
４．表面の解析手法
8
回折法，電子分光法，走査プローブ顕微鏡の原理を理解し，それぞれの手法の特徴を説明できる．
５．ナノテクノロジー
6
アトムマニュピレーション，ボトムアップの手法，新原理デバイスについて理解し，説明できる．
評価方法及び総合評価【評価方法】

期末試験等の筆記試験、レポートで評価する。

【総合評価】

　授業目標の達成度を評価するために，定期試験とレポートを課す．未提出のレポートについては，そのレポートの評価点を０点とする．全体の評価は期末試験を７割，その他を３割として総合的に評価する．期末試験の評価が６割に満たない学生に対しては，追試験 and/or レポートを課すことがある．60％以上の得点率で目標達成とみなす．
学習方法　授業・試験・レポート等に関する全ての連絡事項に注意すること．特に，授業計画などの変更通知は，必要に応じて，授業中または教室の掲示板で行われるので注意．

　

学生へのメッセージ専攻科１年次の応用物理科学，固体電子工学などの知識を必要とするので，これらの科目を履修していることが望ましい．
学修単位への対応学修とは自学学習を含む科目を指す。
本校教育目標との対応
　
JABEE学習教育目標との対応
D-1（○）