| 科目コード | AN207 | ||||
| 科目名 | 電子デバイス工学( Electronic Device Engineering) | 単位数 | 2単位 | ||
| 対象学科 | 電子情報システム工学専攻 | 対象学年 | 2年 | 開講期間 | 後期 |
| 科目区分 | 電子通信系 | 必修・選択 | 選択 | 履修/学修 | 学修 |
| 授業形式 | 講義 | 授業時間数 | 30 | 実時間数 | 25 |
| 教員名（所属） | 葉山 清輝（情報通信エレクトロニクス工学科） | 教員室 | 2号棟2階 | ||
| 使用教科書 | プリント等使用 | ||||
| 参考書 | |||||
| 科目の位置付けと関連科目 | 本科５年生までに学習した電子工学、半導体デバイスの知識を充分に理解しておく必要がある。 | ||||
| 科目の概要 | 電子デバイス工学のうち、半導体物性に基づくダイオードの発明から現在までに至る製造技術の発展過程をデバイス構造の観点から説明する。また、現在の代表的な作製プロセスである接合型に注目して、その形成方法と電気的特性の両面から定量的に教授する。講議では、最先端のデバイス作製技術であるイオン注入を理論的に解析すると共に、次世代デバイスとして注目されているヘテロ接合ダイオードの概要とその構造についても解説する。 | ||||
| 授業方針 | １．電子デバイス工学に関するダイオードの発展の過程を製造技術の観点から理解し、接合型ダイオードの特性と構造並びにその形成方法を定量的に理解し説明できる。 ２．電子デバイス工学が果たす社会的役割と半導体産業の実情を認識し、デバイス物性と集積回路の設計技術との接点を理解し説明できる。 | ||||
授業項目 | 時間 | 達成目標（習得すべき内容） |
| １．ガイダンス | ||
| 2シリコン半導体技デバイスの現状と発展の過程 | シリコン半導体デバイス産業の概要と市場、並びに発展の経過を理解し説明できる。 | |
| 3酸化、拡散理論 | 酸化、拡散理論を定量的に理解し説明できる。 | |
| 4 PN接合理論 | PN接合理論を定量的に理解し説明できる。 | |
| 5 PN接合の性質 | PN接合の電気的、光学的性質を定量的に理解し説明できる | |
| 6 PN接合ダイオード理論 | PN接合ダイオード理論と動作原理、及び、製作プロセスを定量的に理解し説明できる。 | |
| 7ヘテロ材料 | ヘテロ材料の理論と製作プロセスを定量的に理解し説明できる。 | |
| 8ヘテロデバイス理論 | ヘテロデバイスの概要と動作原理、及び、製作プロセスを定量的に理解し説明できる。 |
| 評価方法及び総合評価 | 【評価方法】 １回の筆記試験と１回のレポートで評価する。 【総合評価】 筆記試験１回の点数と授業内容に関連した1回のレポート点を６０％と４０％に配分して評価し、６０％以上の得点率で目標達成とみなす。レポート点数は、未提出は０点として、記述内容の独創性、図表を用いた表現方法、文章のまとめ方、参考文献引用の適切さ等を総合的に評価して、A、B、C、Dの４段階に区分して配点する。 |
| 学習方法 | 本科５年生までに学習した電子工学、半導体デバイスの知識を充分に理解しておく必要がある。これらの科目の講義内容について十分に復習して受講することが望まれる。 なお、自学学習用の課題演習レポートは評価に加味しないが、提出を義務付ける。 |
| 学生へのメッセージ | |
| 学修単位への対応 | 学修とは自学学習を含む科目を指す。 |
| 本校教育目標との対応 | JABEE学習教育目標との対応 | ||||